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了解了紫光微MOS管的參數意義，如何根據廠商的產品手冊表選擇滿足自己需要的產品呢？可以通過以下四步來選擇正確的紫光微MOS管。

1） 溝道的選擇　　

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道 紫光微MOS管.在典型的功率應用中，當一個紫光微MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該紫光微MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝 道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當紫光微MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道 紫光微MOS管,這也是出于對電壓驅動的考慮。　　

2） 電壓和電流的選擇　　

額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS.設計工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應用為450~600V.　　在連續導通模式下，MOSFET處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電 涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。　

3） 計算導通損耗　　

紫光微MOS管器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易 （較為普遍），而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS（ON）電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供 的技術資料表中查到。　　

4） 計算系統的散熱要求　　

設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在紫光微MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。　　

開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率紫光微MOS管。