新聞資訊News
行業(yè)新聞
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,不間斷電源(UPS)作為保障關(guān)鍵設(shè)備持續(xù)供電的核心裝置,其性能直接關(guān)系到數(shù)據(jù)安全與工業(yè)生產(chǎn)的穩(wěn)定性。MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為UPS的核心功率器件,其選型與表現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)效率、可靠性及成本控制具有決定性影響。本文將探討新潔能MOS管在UPS系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用表現(xiàn),分析其在提升電源系統(tǒng)性能方面的突出貢獻(xiàn)。
一、UPS系統(tǒng)對(duì)MOS管的核心需求
UPS系統(tǒng)通常由整流器、逆變器、靜態(tài)開關(guān)及電池組構(gòu)成,其中逆變器環(huán)節(jié)需要高頻開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)DC-AC轉(zhuǎn)換。這對(duì)MOS管提出三大嚴(yán)苛要求:
1、低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):直接影響導(dǎo)通損耗,尤其在滿載運(yùn)行時(shí)需保持低溫升。
2、快速開關(guān)特性:開關(guān)損耗占UPS總損耗的40%以上。新潔能通過優(yōu)化柵極電荷(Qg)設(shè)計(jì),使開關(guān)頻率可提升至100kHz以上,同時(shí)減少死區(qū)時(shí)間帶來的波形失真。
3、強(qiáng)魯棒性:需承受頻繁負(fù)載突變與短路沖擊。其產(chǎn)品通過雪崩能量(UIS)測試達(dá)300mJ以上。
二、技術(shù)突破
新潔能MOS管在UPS領(lǐng)域展現(xiàn)出多項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì):
1、第三代超級(jí)結(jié)(Super Junction)技術(shù)
采用深槽刻蝕與多外延層生長工藝,突破傳統(tǒng)硅極限。以NCE65H190為例,在1900V高壓下實(shí)現(xiàn)65mΩ導(dǎo)通電阻,比平面MOSFET體積縮小50%,顯著提升功率密度。該技術(shù)特別適用于高壓輸入的工頻機(jī)UPS拓?fù)洹?/p>
2、智能封裝解決方案
- TO-247-4L封裝:新增Kelvin源極引腳,將驅(qū)動(dòng)回路與功率回路分離,減少柵極振蕩現(xiàn)象。測試顯示開關(guān)損耗降低22%,特別適合高頻化設(shè)計(jì)的模塊化UPS。
- 銅夾鍵合工藝:替代傳統(tǒng)鋁線綁定,如NCE40H80G的熱阻(RthJC)降至0.5℃/W,允許持續(xù)輸出電流提升30%。
3、動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)化
通過柵極電荷與輸出電容(Coss)的協(xié)同設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)特性。這一特性對(duì)高頻塔式UPS的EMI抑制尤為關(guān)鍵。
新潔能MOS管通過材料創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和應(yīng)用匹配的三重突破,在UPS領(lǐng)域其產(chǎn)品不僅滿足當(dāng)前高效率、高密度電源的設(shè)計(jì)需求,更為功率器件的自主可控提供了可靠選擇。