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        以美國(guó)能效要求為例，要求49W以下空載功耗為0.1W，大于49W空載功耗為0.21W；歐盟49W以下為75mW，大于49W為150mW。在設(shè)計(jì)電源時(shí)，相對(duì)于75mW的空載功耗，必須要精打細(xì)算到每個(gè)細(xì)節(jié)上。 以下幾點(diǎn)為顯在的固定消耗點(diǎn)： 
        1，Vcc啟動(dòng)回路 
        2，X電容放電回路 
        3，IC Vcc供電回路 
        4，電壓（電流）檢測(cè)環(huán)路 
        5，假負(fù)載首先，新出的IC大多具有HV啟動(dòng)關(guān)斷功能，啟動(dòng)后關(guān)閉啟動(dòng)電阻回路，避免此回路損耗。當(dāng)然，這屬于IC原有功能，不在本貼的主旨中，這里一帶過，同時(shí)后面的一些延伸也會(huì)用到此引腳，順帶一說(shuō)。如下： 

 當(dāng)沒有HV啟動(dòng)功能的芯片時(shí)，Vcc只能盡量大啟動(dòng)電阻，大的啟動(dòng)電阻又需要較快的啟動(dòng)時(shí)間時(shí)，可以這樣做,Vcc兩級(jí)DC接法,C16用于啟動(dòng)儲(chǔ)能，C14用于輔助供電儲(chǔ)能,使啟動(dòng)時(shí)較大R的情況下C能更快充到IC啟動(dòng)閾值： 

X電容放電 

        IEC60950要求1S內(nèi)電壓下降到37% 

        IEC60065要求2S內(nèi)電壓下降到35V以下 

        例， 

        按第1條，X電容放電時(shí)間常數(shù)RC需小于1， 

        設(shè)X電容為0.33uF,Rx*Cx<1,那么Rx<3MΩ，由于電容量存在20%誤差，那么此電阻選值留足裕量，那應(yīng)在Rx*0.7內(nèi)，約2MΩ。 

        電阻損耗， 

        PR=U2/R，設(shè)ACmax=264V 

        PR=2642/2M 

        PR=34.8mW 

        CoC要求49W以下75mW待機(jī)或DoE要求49W以下100mW待機(jī)，不管那個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，這部份的損耗都顯得巨大。怎么辦，使用更小的X電容（當(dāng)0.1uF以下，可以不使用放電電阻），或想辦法讓這個(gè)R更靈活一點(diǎn)，如下：

1，在斷電后，利用IC的HV腳對(duì)Cx進(jìn)行放電

2，沒有HV啟動(dòng)腳，將啟動(dòng)電阻接到X電容放電電阻中點(diǎn)，斷電后，利用IC的Vcc腳幫助放電，可減小X電容兩端電阻的放電功率：
 

3，把EMC元件后移動(dòng)，AC端不放X電容：

 

       Vcc供電 

 盡量小的Vcc限流電阻，減小損耗。一般擁有較寬的Vcc的芯片，只要Vcc電壓在要求范圍內(nèi)，供電可不用限流電阻，

較小的電壓標(biāo)測(cè)環(huán)流，如圖流經(jīng)R11、R16的靜態(tài)電流。
圖中兩電阻75K+7.5K，回路靜態(tài)電流約U/R=0.3mA, I²R約7.5mW。
如設(shè)為47K+4.7K，則U/R=0.49mA, I²R約12.5mW。
所以在環(huán)路允許的情況下，建議選取較大值。
 假負(fù)載 
一般為了穩(wěn)定環(huán)路在輸出預(yù)加一定的假負(fù)載，在目前6級(jí)能效來(lái)說(shuō)，幾乎不能接受，假設(shè)一個(gè)5V1A的電源預(yù)加1KR電阻假負(fù)載，實(shí)際消耗P=U²/R，實(shí)際上消耗25mW的功耗，已占COC待機(jī)要求的1/3。 
所以要穩(wěn)定，設(shè)整合適的環(huán)路才是正道。

待機(jī)小結(jié)：
1，從功耗上來(lái)說(shuō)，極大一部份來(lái)自于高壓?jiǎn)?dòng)回路，可以從芯片功能選擇，啟動(dòng)取電的設(shè)計(jì)，儲(chǔ)能與Vcc的區(qū)分來(lái)實(shí)現(xiàn)較低的消耗。
2，線路中所有元件均存在消耗，所以，對(duì)各部份具體核算功耗，再盡可能降低。
3，選用具有突發(fā)模式的IC，待機(jī)處于突發(fā)模式，損耗降低明顯。

二、效率
涉及效率，幾乎包含了電源的整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從整流到變壓器轉(zhuǎn)換，再到整流DC輸出所有有電流過的地方都涉及損耗，包括EMI的抑制。要提升效率就是提升整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的合理性和平衡。不再大范圍講解，主要講述一些重點(diǎn)和我們?nèi)菀缀雎缘囊恍┘?xì)節(jié)。

橋堆
橋堆的損耗是否有注意到，如下同是KBL06，有不同的Vf： 
下面為ST品牌，同參數(shù)下Vf要低0.1V        

       
 Pdiode=Vf*Iavg input curretn        常被忽略的參數(shù)，其實(shí)一直在侵食我們的效率。輸出整流二極管

        輸出整流D5選用更低Vf的二極管，CCM下需要更快的Trr，如肖特基。
        Vf直接影響損耗及發(fā)熱
        較低的Vf會(huì)有小的Pd=Vf*Iout
        如下，同品牌在同等條件下參數(shù)對(duì)比：
        MBRB20100CT   Vf：0.95V
        MBR20H100CT   Vf：0.88V
        損耗差Pd=（0.95-0.88）*Iout
        當(dāng)然實(shí)際使用電流下的Vf并不一定為上面標(biāo)稱值，但兩者的差別對(duì)比，在設(shè)計(jì)效率上應(yīng)盡量用更低Vf整流二極管。

變壓器
對(duì)變壓器的幾點(diǎn)要求：
1，盡量低的漏感，可降低損耗,設(shè)漏感為L(zhǎng)kp
Plk=(1/2*Lkp*Ipk^2)*F
在確定的F情況下，較低的Ipk和Lkp可得到較低的漏感損耗
改善方法：
增加耦合面，用三明治或五明治繞線
副邊較粗的線從Bobbin兩端出線，不要橫跨線包到Pin腳，減少后面繞組的間隙，降低漏感
2，銅損、鐵損
平衡兩方損耗，監(jiān)測(cè)兩方面的溫升，調(diào)整線匝及氣隙，使溫升平均
盡量繞滿繞線窗，最大利用變壓器功率密度

合理的EMI
一般60W及以下產(chǎn)品設(shè)計(jì)合理的情況下，初級(jí)一個(gè)大感量共模，次級(jí)一個(gè)小共模可滿足一般IT類同等的EMI要求

從效率和EMI考慮上，變壓器線包內(nèi)屏蔽建議用2個(gè)銅箔分隔三明治中的初次級(jí)，如再增加屏蔽效用不高
合理處理MOS及二極管上的高頻噪聲，一般串磁珠是較高效低成本的應(yīng)用
初級(jí)大電解并瓷片電容，對(duì)噪聲有很好濾除作用

PCB Layout

于效率上的影響，PCB上大的環(huán)路線路要短，線寬，盡量小的環(huán)流面積。
特別次級(jí)DC側(cè)，電流要比初級(jí)大得多，線寬要控制好。35um 2mm寬1A電流走線(露銅上錫寬度減半)，達(dá)不到的地方用露銅上錫加粗或在板面上加跳線增大電流。

針對(duì)六級(jí)能效，目前新IC推出很多特色功能來(lái)提升待機(jī)和能效，能滿足我們應(yīng)用的IC非常多，基本有幾個(gè)特點(diǎn)：
待機(jī)方面
1，低啟動(dòng)電流，目前uA級(jí)的6Pin。或具HV獨(dú)立啟動(dòng)的8Pin
2，輕載突發(fā)模式
效率方面
1，頻率反走
2，低壓升頻（變壓器可用較少規(guī)格）